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IXFX64N60P
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- 制造商编号：
- IXFX64N60P
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Polar
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 64A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247™-3
- 规格说明书：
- IXFX64N60P说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Polar |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 64A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 96 毫欧 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 200 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 12000 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1040W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FCH104N60 | Rochester Electronics, LLC | ¥15.42944 | 类似 |
| STW48N60DM2 | STMicroelectronics | ¥85.78000 | 类似 |
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | ¥69.65000 | 类似 |
| SCT3060ALGC11 | Rohm Semiconductor | ¥95.07000 | 类似 |
| STW48N60M2 | STMicroelectronics | ¥61.59000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥191.359697 | ￥191.36 |
| 10+ | ￥176.492503 | ￥1764.93 |
| 100+ | ￥150.711149 | ￥15071.11 |
| 500+ | ￥136.829501 | ￥68414.75 |
