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DMG6601LVT-7
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- 制造商编号：
- DMG6601LVT-7
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 3.8A，2.5A 850mW 表面贴装型 TSOT-23
- 规格说明书：
- DMG6601LVT-7说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A，2.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12.3nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 422pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 850mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | TSOT-23 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0.844588 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.016043 | ￥4.02 |
| 10+ | ￥3.026331 | ￥30.26 |
| 100+ | ￥1.887789 | ￥188.78 |
| 500+ | ￥1.291724 | ￥645.86 |
| 1000+ | ￥0.993616 | ￥993.62 |
| 3000+ | ￥0.894247 | ￥2682.74 |
| 6000+ | ￥0.844588 | ￥5067.53 |
