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STQ2HNK60ZR-AP

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制造商编号:
STQ2HNK60ZR-AP
制造商:
ST意法半导体
系列:
SuperMESH™
描述:
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
详细描述:
通孔 N 通道 600 V 500mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
规格说明书:
STQ2HNK60ZR-AP说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 SuperMESH™
包装 剪切带(CT) 带盒(TB)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 500mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.8 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 280 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-92-3
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
标准包装 2,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,000 / PCS
包装
剪切带(CT)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥8.925104 ¥8.93
10+ ¥7.843377 ¥78.43
100+ ¥6.014699 ¥601.47
500+ ¥4.754858 ¥2377.43
1000+ ¥3.80385 ¥3803.85
2000+ ¥3.782272 ¥7564.54

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