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RN1116MFV,L3F

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制造商编号:
RN1116MFV,L3F
制造商:
Toshiba东芝
系列:
-
描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
详细描述:
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM
规格说明书:
RN1116MFV,L3F说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 50 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 250 MHz
功率 - 最大值 150 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-723
供应商器件封装 VESM
标准包装 8,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
8,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0.27937 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
8000+ ¥0.27937 ¥2234.96

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