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IXFK360N10T

IXYS photo

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制造商编号:
IXFK360N10T
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
HiPerFET™, Trench
描述:
MOSFET N-CH 100V 360A TO264AA
详细描述:
通孔 N 通道 100 V 360A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
规格说明书:
IXFK360N10T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 HiPerFET™, Trench
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 360A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.9 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 525 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 33000 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1250W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-264AA(IXFK)
封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
标准包装 25

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
25 / PCS
包装
管件
单价:¥85.301004 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥131.385534 ¥131.39
10+ ¥120.732451 ¥1207.32
100+ ¥101.963231 ¥10196.32
500+ ¥90.703366 ¥45351.68
1000+ ¥85.301004 ¥85301.00

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