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CSD18543Q3AT

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制造商编号:
CSD18543Q3AT
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
详细描述:
表面贴装型 N 通道 60 V 12A(Ta),60A(Tc) 66W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)
规格说明书:
CSD18543Q3AT说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Ta),60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 15.6 毫欧 @ 12A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1150 pF @ 30 V
FET 功能 标准
功率耗散(最大值) 66W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-VSONP(3x3.15)
封装/外壳 8-PowerVDFN
标准包装 250

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
250 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥7.619739 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥15.852802 ¥15.85
10+ ¥14.131996 ¥141.32
100+ ¥11.016143 ¥1101.61
250+ ¥10.297532 ¥2574.38
500+ ¥9.100155 ¥4550.08
1000+ ¥7.619739 ¥7619.74

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