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SQJ963EP-T1_GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SQJ963EP-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
描述:
MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 60V 8A(Tc) 27W(Tc) 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双
规格说明书:
SQJ963EP-T1_GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 85 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1140pF @ 30V
功率 - 最大值 27W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 双
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥9.358897 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥18.426551 ¥18.43
10+ ¥16.539135 ¥165.39
100+ ¥13.289248 ¥1328.92
500+ ¥10.918614 ¥5459.31
1000+ ¥9.358897 ¥9358.90
3000+ ¥9.358897 ¥28076.69

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