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DMN10H170SK3Q-13
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- 制造商编号：
- DMN10H170SK3Q-13
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 12A TO252
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 12A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
- 规格说明书：
- DMN10H170SK3Q-13说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 140 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1167 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 42W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FQD19N10LTM | onsemi | ¥7.76000 | 类似 |
| AUIRLR3410 | Infineon Technologies | ¥18.12000 | 类似 |
| IRFR3910TRPBF | Infineon Technologies | ¥9.83000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2.496462 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.875764 | ￥6.88 |
| 10+ | ￥6.043958 | ￥60.44 |
| 100+ | ￥4.632002 | ￥463.20 |
| 500+ | ￥3.661487 | ￥1830.74 |
| 1000+ | ￥2.929212 | ￥2929.21 |
| 2500+ | ￥2.654567 | ￥6636.42 |
| 5000+ | ￥2.496462 | ￥12482.31 |
