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VP2110K1-G

Microchip photo

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制造商编号:
VP2110K1-G
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
详细描述:
表面贴装型 P 通道 100 V 120mA(Tj) 360mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
规格说明书:
VP2110K1-G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 12 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 60 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 360mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-236AB(SOT23)
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥5.672058 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥7.547177 ¥7.55
25+ ¥6.199378 ¥154.98
100+ ¥5.67207 ¥567.21
3000+ ¥5.672058 ¥17016.17

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