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IXFN27N120SK

IXYS photo

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制造商编号:
IXFN27N120SK
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
-
描述:
SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 1200V(1.2kV) - - 底座安装 SOT-227B
规格说明书:
IXFN27N120SK说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 -
工作温度 -
安装类型 底座安装
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装 SOT-227B
标准包装 10

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
10 / PCS
包装
管件
单价:¥450.815138 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
10+ ¥450.815138 ¥4508.15

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