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IXFN70N120SK

IXYS photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IXFN70N120SK
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
-
描述:
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B
详细描述:
底座安装 N 通道 1200 V 68A(Tc) - SOT-227B
规格说明书:
IXFN70N120SK说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 68A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 34 毫欧 @ 50A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 15mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 161 nC @ 20 V
Vgs(最大值) +20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2790 pF @ 1000 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) -
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
标准包装 10

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
10 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥1131.949372 ¥1131.95
10+ ¥1078.380511 ¥10783.81
100+ ¥1042.920834 ¥104292.08

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