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IRF200B211
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- 制造商编号：
- IRF200B211
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®, StrongIRFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 200 V 12A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
- 规格说明书：
- IRF200B211说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 170 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 790 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 80W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥6.049964 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥11.936227 | ￥11.94 |
| 10+ | ￥10.70406 | ￥107.04 |
| 100+ | ￥8.349267 | ￥834.93 |
| 500+ | ￥6.896926 | ￥3448.46 |
| 1000+ | ￥6.049964 | ￥6049.96 |
