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SISH108DN-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SISH108DN-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET® Gen II
描述:
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
详细描述:
表面贴装型 N 通道 20 V 14A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK® 1212-8SH
规格说明书:
SISH108DN-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET® Gen II
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 14A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.9 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±16V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8SH
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8SH
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.474405 ¥6.47
10+ ¥5.716398 ¥57.16
100+ ¥4.384927 ¥438.49
500+ ¥3.466611 ¥1733.31
1000+ ¥2.773291 ¥2773.29
3000+ ¥2.599964 ¥7799.89

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