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FDP15N65

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制造商编号:
FDP15N65
制造商:
ON安森美
系列:
UniFET™
描述:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
详细描述:
通孔 N 通道 650 V 15A(Tc) 250W(Tc) TO-220-3
规格说明书:
FDP15N65说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 UniFET™
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 440 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3095 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
STP16N65M2 STMicroelectronics ¥20.35000 类似
STP11N60DM2 STMicroelectronics ¥14.82000 类似
IXTP8N70X2M IXYS ¥25.57000 类似

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包装
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