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MVB50P03HDLT4G

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制造商编号:
MVB50P03HDLT4G
制造商:
ON安森美
系列:
Automotive, AEC-Q101
描述:
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
详细描述:
表面贴装型 P 通道 30 V 50A(Tc) 125W(Tc) D²PAK
规格说明书:
MVB50P03HDLT4G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 散装
零件状态 停产
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 25 毫欧 @ 25A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 100 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4900 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 1

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标准包装
1 / PCS
包装
散装
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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