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BSM400D12P2G003

Rohm Semiconductor photo

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制造商编号:
BSM400D12P2G003
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 1200V(1.2kV) 400A(Tc) 2450W(Tc) 模块
规格说明书:
BSM400D12P2G003说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss) 1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 400A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 85mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 38000pF @ 10V
功率 - 最大值 2450W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
标准包装 4

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
4 / PCS
包装
散装
单价:¥20462.013184 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥20462.013184 ¥20462.01

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