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EPC2100
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- 制造商编号：
- EPC2100
- 制造商：
- EPC
- 系列：
- eGaN®
- 描述：
- GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 10A（Ta），40A（Ta） - 表面贴装型 模具
- 规格说明书：
- EPC2100说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta），40A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 475pF @ 15V，1960pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 模具 |
| 供应商器件封装 | 模具 |
| 标准包装 | 500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥34.998722 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥66.270928 | ￥66.27 |
| 10+ | ￥59.499606 | ￥595.00 |
| 100+ | ￥48.748174 | ￥4874.82 |
| 500+ | ￥41.498482 | ￥20749.24 |
| 1000+ | ￥34.998722 | ￥34998.72 |
