BSO211PHXUMA1
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- 制造商编号:
- BSO211PHXUMA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- OptiMOS™
- 描述:
- MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 4A 1.6W 表面贴装型 PG-DSO-8
- 规格说明书:
- BSO211PHXUMA1说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 67 毫欧 @ 4.6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 25µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1095pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.6W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | PG-DSO-8 |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | ¥5.07000 | 类似 |
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