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IXFP26N65X2
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- 制造商编号：
- IXFP26N65X2
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Ultra X2
- 描述：
- IXFP26N65X2
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 26A（Tc） 460W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- IXFP26N65X2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Ultra X2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 130 毫欧 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2450 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 460W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥85.170339 | ￥85.17 |
| 10+ | ￥76.918893 | ￥769.19 |
| 100+ | ￥63.681584 | ￥6368.16 |
| 500+ | ￥55.452753 | ￥27726.38 |
| 1000+ | ￥48.785392 | ￥48785.39 |
