您好,欢迎来到壹方微芯!

STGP15H60DF

ST photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
STGP15H60DF
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 600V 30A 115W TO220
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 30 A 115 W 通孔 TO-220
规格说明书:
STGP15H60DF说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,15A
功率 - 最大值 115 W
开关能量 136µJ(开),207µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 81 nC
25°C 时 Td(开/关)值 24.5ns/118ns
测试条件 400V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 103 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
标准包装 50

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥11.626793 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥20.813796 ¥20.81
10+ ¥18.667762 ¥186.68
100+ ¥15.000729 ¥1500.07
500+ ¥12.324304 ¥6162.15
1000+ ¥11.626793 ¥11626.79

相关产品