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NTD5862N-1G
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- 制造商编号：
- NTD5862N-1G
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 60 V 98A（Tc） 115W（Tc） DPAK
- 规格说明书：
- NTD5862N-1G说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 98A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.7 毫欧 @ 45A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 82 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6000 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 115W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
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- 标准包装
- 75 / PCS
- 包装
- 管件
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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