APT22F120B2
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- 制造商编号:
- APT22F120B2
- 制造商:
- Microchip微芯
- 系列:
- POWER MOS 8™
- 描述:
- MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 1200 V 23A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX™ [B2]
- 规格说明书:
- APT22F120B2说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Microchip(微芯) |
系列 | POWER MOS 8™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 1200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 700 毫欧 @ 12A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 2.5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 260 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 8370 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1040W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | T-MAX™ [B2] |
封装/外壳 | TO-247-3 变式 |
标准包装 | 1 |
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- 1 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥348.187829 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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20+ | ¥348.187829 | ¥6963.76 |