2N5461
规格参数
属性 | 属性值 |
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制造商 | ON(安森美) |
系列 | - |
包装 | 散装 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | P 通道 |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40 V |
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 2 mA @ 15 V |
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 1 V @ 1 µA |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 7pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 350 mW |
工作温度 | -65°C ~ 135°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 长体 |
供应商器件封装 | TO-92(TO-226) |
标准包装 | 1,000 |
文档与视频信息
属性 | 属性值 |
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规格书 | 2N5460, 61, 62 |
环保信息 | onsemi RoHS |
PCN 产品变更/停产 | Multiple Devices 30/Jun/2006 |
HTML 规格书 | 2N5460, 61, 62 |
EDA 模型 | 2N5461 by SnapEDA |
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