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IRLB3813PBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRLB3813PBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 30 V 260A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
- 规格说明书：
- IRLB3813PBF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 260A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.95 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8420 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| PSMN4R3-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | ¥12.52000 | 类似 |
| STP200N3LL | STMicroelectronics | ¥12.83000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.7279 | ￥18.73 |
| 10+ | ￥16.85055 | ￥168.51 |
| 100+ | ￥13.542905 | ￥1354.29 |
| 500+ | ￥11.12704 | ￥5563.52 |
| 1000+ | ￥10.597267 | ￥10597.27 |
