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SIZF918DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZF918DT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET® Gen IV
- 描述：
- MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（双），肖特基 30V 23A（Ta），40A（Tc），35A（Ta），60A（Tc） 3.4W（Ta），26.6W（Tc），3.7W（Ta），50W（Tc） 表面贴装型 8-PowerPair®（6x5）
- 规格说明书：
- SIZF918DT-T1-GE3说明书
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® Gen IV |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 23A（Ta），40A（Tc），35A（Ta），60A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA，2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V，56nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1060pF @ 15V，2650pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3.4W（Ta），26.6W（Tc），3.7W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair®（6x5） |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥7.231588 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 6000+ | ￥7.231588 | ￥43389.53 |
