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IXTA60N10T
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- 制造商编号：
- IXTA60N10T
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Trench
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 60A TO263
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 60A（Tc） 176W（Tc） TO-263AA
- 规格说明书：
- IXTA60N10T说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Trench |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 49 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2650 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 176W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263AA |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RSJ550N10TL | Rohm Semiconductor | ¥30.26000 | 类似 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥12.356308 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥26.732176 | ￥26.73 |
| 10+ | ￥24.014197 | ￥240.14 |
| 100+ | ￥19.300506 | ￥1930.05 |
| 500+ | ￥15.857278 | ￥7928.64 |
| 1000+ | ￥13.138902 | ￥13138.90 |
| 2000+ | ￥12.356308 | ￥24712.62 |
