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IXTA80N10T
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- 制造商编号：
- IXTA80N10T
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Trench
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 80A TO263
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 80A（Tc） 230W（Tc） TO-263AA
- 规格说明书：
- IXTA80N10T说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Trench |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3040 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263AA |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| PSMN013-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | ¥13.67000 | 类似 |
| NVB6411ANT4G | onsemi | ¥10.07379 | 直接 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥32.998947 | ￥33.00 |
| 10+ | ￥29.658017 | ￥296.58 |
| 100+ | ￥24.301245 | ￥2430.12 |
| 500+ | ￥20.686818 | ￥10343.41 |
| 1000+ | ￥17.446788 | ￥17446.79 |
| 2000+ | ￥16.993614 | ￥33987.23 |
