SPP08P06PBKSA1
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SPP08P06PBKSA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- SIPMOS®
- 描述:
- MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
- 详细描述:
- 通孔 P 通道 60 V 8.8A(Tc) 42W(Tc) PG-TO220-3
- 规格说明书:
- SPP08P06PBKSA1说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | SIPMOS® |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 300 毫欧 @ 6.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 420 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 42W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 500 |
价格库存
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- 标准包装
- 500 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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