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NVB60N06T4G

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制造商编号:
NVB60N06T4G
制造商:
ON安森美
系列:
Automotive, AEC-Q101
描述:
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 60 V 60A(Ta) 2.4W(Ta),150W(Tj) D²PAK
规格说明书:
NVB60N06T4G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 Automotive, AEC-Q101
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 60A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 14 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 81 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3220 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.4W(Ta),150W(Tj)
工作温度 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D²PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

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型号 品牌 参考价格 说明
RSJ400N06FRATL Rohm Semiconductor ¥12.44000 类似

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标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
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