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    PMT200EN,135

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    制造商编号：
    PMT200EN,135
    制造商：
    NXP恩智浦
    系列：
    -
    描述：
    MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
    详细描述：
    表面贴装型 N 通道 100 V 1.8A（Ta） 800mW（Ta），8.3W（Tc） SC-73
    规格说明书：
    PMT200EN,135说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 NXP(恩智浦)
    系列 -
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 停产
    FET 类型 N 通道
    技术 MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss） 100 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.8A（Ta）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 235 毫欧 @ 1.5A，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 10 nC @ 10 V
    Vgs（最大值） ±20V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 475 pF @ 80 V
    FET 功能 -
    功率耗散（最大值） 800mW（Ta），8.3W（Tc）
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    供应商器件封装 SC-73
    封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
    标准包装 4,000

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    型号 品牌 参考价格 说明
    ZXMN10A08GTA Diodes Incorporated ¥6.22000 类似

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    标准包装
    4,000 / PCS
    包装
    卷带（TR）
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    阶梯 单价(含税价) 总价
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