SIZ998DT-T1-GE3
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- 制造商编号:
- SIZ998DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(双),肖特基 30V 20A (Tc),60A (Tc) 20.2W,32.9W 表面贴装型 8-PowerPair®(6x5)
- 规格说明书:
- SIZ998DT-T1-GE3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 个 N 通道(双),肖特基 |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A (Tc),60A (Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.7 毫欧 @ 15A,10V,2.8 毫欧 @ 19A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.1nC @ 4.5V,19.8nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 930pF @ 15V,2620pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 20.2W,32.9W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
供应商器件封装 | 8-PowerPair®(6x5) |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥14.179858 | ¥14.18 |
10+ | ¥12.639908 | ¥126.40 |
100+ | ¥9.855002 | ¥985.50 |
500+ | ¥8.141313 | ¥4070.66 |
1000+ | ¥6.42742 | ¥6427.42 |
3000+ | ¥6.42742 | ¥19282.26 |