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SIZ998DT-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIZ998DT-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（双），肖特基 30V 20A (Tc)，60A (Tc) 20.2W，32.9W 表面贴装型 8-PowerPair®（6x5）
- 规格说明书：
- SIZ998DT-T1-GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A (Tc)，60A (Tc) |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.7 毫欧 @ 15A，10V，2.8 毫欧 @ 19A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.1nC @ 4.5V，19.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 930pF @ 15V，2620pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 20.2W，32.9W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair®（6x5） |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.179858 | ￥14.18 |
| 10+ | ￥12.639908 | ￥126.40 |
| 100+ | ￥9.855002 | ￥985.50 |
| 500+ | ￥8.141313 | ￥4070.66 |
| 1000+ | ￥6.42742 | ￥6427.42 |
| 3000+ | ￥6.42742 | ￥19282.26 |
