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MMIX1F160N30T
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- 制造商编号：
- MMIX1F160N30T
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
- 描述：
- MOSFET N-CH 300V 102A 24SMPD
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 300 V 102A（Tc） 570W（Tc） 24-SMPD
- 规格说明书：
- MMIX1F160N30T说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 300 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 102A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 335 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2800 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 570W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 24-SMPD |
| 封装/外壳 | 24-PowerSMD，21 引线 |
| 标准包装 | 20 |
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- 标准包装
- 20 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥427.870228 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 20+ | ￥427.870228 | ￥8557.40 |
