SPI80N03S2L-04
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- 制造商编号:
- SPI80N03S2L-04
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- OptiMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 30 V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO262-3-1
- 规格说明书:
- SPI80N03S2L-04说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.2 毫欧 @ 80A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 130µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 105 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3900 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 188W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | PG-TO262-3-1 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 500 |
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- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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