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SQ2325ES-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ2325ES-T1_GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
- 规格说明书：
- SQ2325ES-T1_GE3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 840mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.77 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2.744648 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.875764 | ￥6.88 |
| 10+ | ￥6.035255 | ￥60.35 |
| 100+ | ￥4.629267 | ￥462.93 |
| 500+ | ￥3.659523 | ￥1829.76 |
| 1000+ | ￥2.927608 | ￥2927.61 |
| 3000+ | ￥2.744648 | ￥8233.94 |
