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IXFH22N65X2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXFH22N65X2
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Ultra X2
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 22A TO247
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 22A（Tc） 390W（Tc） TO-247（IXTH）
- 规格说明书：
- IXFH22N65X2说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Ultra X2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 1.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2310 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 390W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247（IXTH） |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | ¥43.62000 | 类似 |
| STW24N60DM2 | STMicroelectronics | ¥41.39000 | 类似 |
| STW31N65M5 | STMicroelectronics | ¥41.16000 | 类似 |
| TK17N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥28.18000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥35.076593 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥68.173264 | ￥68.17 |
| 10+ | ￥61.215439 | ￥612.15 |
| 100+ | ￥50.159508 | ￥5015.95 |
| 500+ | ￥42.699963 | ￥21349.98 |
| 1000+ | ￥36.01197 | ￥36011.97 |
| 2000+ | ￥35.076593 | ￥70153.19 |
