PHP18NQ10T,127
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- 制造商编号:
- PHP18NQ10T,127
- 制造商:
- Nexperia安世
- 系列:
- TrenchMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 100 V 18A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
- 规格说明书:
- PHP18NQ10T,127说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Nexperia(安世) |
系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 90 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 21 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 633 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 79W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IRF8010PBF | Infineon Technologies | ¥19.12000 | 类似 |
FDP120N10 | onsemi | ¥20.81000 | 类似 |
IRL540NPBF | Infineon Technologies | ¥12.52000 | 类似 |
IRF510PBF | Vishay Siliconix | ¥8.99000 | 类似 |
FQP33N10 | onsemi | ¥13.52000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥13.746712 | ¥13.75 |
10+ | ¥12.281992 | ¥122.82 |
100+ | ¥9.578358 | ¥957.84 |
500+ | ¥7.91268 | ¥3956.34 |
1000+ | ¥6.246832 | ¥6246.83 |
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