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SQ4532AEY-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ4532AEY-T1_GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 7.3A (Tc)，5.3A (Tc) 3.3W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书：
- SQ4532AEY-T1_GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.3A (Tc)，5.3A (Tc) |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 31 毫欧 @ 4.9A，10V，70 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.8nC @ 10V，10.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 535pF @ 15V，528pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 3.3W |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 标准包装 | 2,500 |
价格库存
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.705454 | ￥7.71 |
| 10+ | ￥6.863097 | ￥68.63 |
| 25+ | ￥6.516352 | ￥162.91 |
| 100+ | ￥5.353125 | ￥535.31 |
| 250+ | ￥5.003484 | ￥1250.87 |
| 500+ | ￥4.421859 | ￥2210.93 |
| 1000+ | ￥3.622612 | ￥3622.61 |
| 2500+ | ￥3.622612 | ￥9056.53 |
