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DMN3015LSD-13
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- 制造商编号：
- DMN3015LSD-13
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 8.4A（Ta） 1.2W 表面贴装型 8-SO
- 规格说明书：
- DMN3015LSD-13说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.4A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25.1nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1415pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRL6372TRPBF | Infineon Technologies | ¥8.22000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.212237 | ￥6.21 |
| 10+ | ￥5.304908 | ￥53.05 |
| 100+ | ￥3.963635 | ￥396.36 |
| 500+ | ￥3.114052 | ￥1557.03 |
| 1000+ | ￥2.406313 | ￥2406.31 |
| 2500+ | ￥2.194003 | ￥5485.01 |
| 5000+ | ￥2.052432 | ￥10262.16 |
