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FDMD86100

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制造商编号:
FDMD86100
制造商:
ON安森美
系列:
PowerTrench®
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8POWER 5X6
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共源 100V 10A 2.2W 表面贴装型 8-Power 5x6
规格说明书:
FDMD86100说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 PowerTrench®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共源
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2060pF @ 50V
功率 - 最大值 2.2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerWDFN
供应商器件封装 8-Power 5x6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥22.267691 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥37.052039 ¥37.05
10+ ¥33.314507 ¥333.15
100+ ¥27.293551 ¥2729.36
500+ ¥23.234662 ¥11617.33
1000+ ¥22.267691 ¥22267.69
3000+ ¥22.267691 ¥66803.07

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