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RQ3E180GNTB

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
RQ3E180GNTB
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 18A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
规格说明书:
RQ3E180GNTB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.3 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 22.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1520 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-HSMT(3.2x3)
封装/外壳 8-PowerVDFN
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.248686 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.204351 ¥6.20
10+ ¥5.442174 ¥54.42
100+ ¥4.171711 ¥417.17
500+ ¥3.298079 ¥1649.04
1000+ ¥2.638453 ¥2638.45
3000+ ¥2.391087 ¥7173.26
6000+ ¥2.248686 ¥13492.12

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