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APT34N80B2C3G

Microchip photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
APT34N80B2C3G
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
详细描述:
通孔 N 通道 800 V 34A(Tc) 417W(Tc) T-MAX™ [B2]
规格说明书:
APT34N80B2C3G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 145 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 355 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4510 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 417W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 T-MAX™ [B2]
封装/外壳 TO-247-3 变式
标准包装 1

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1 / PCS
包装
管件
单价:¥94.530568 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥106.655163 ¥106.66
100+ ¥94.530568 ¥9453.06

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