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IGB50N65H5ATMA1

Infineon photo

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制造商编号:
IGB50N65H5ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
TrenchStop™ 5
描述:
IGBT PRODUCTS
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 270 W 表面贴装型 PG-TO263-3
规格说明书:
IGB50N65H5ATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 TrenchStop™ 5
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,50A
功率 - 最大值 270 W
开关能量 1.59mJ(开),750µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 120 nC
25°C 时 Td(开/关)值 23ns/173ns
测试条件 400V,50A,12 欧姆,15V
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-3
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1000+ ¥21.5963 ¥21596.30

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