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HAT2168HWS-E

Renesas photo

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制造商编号:
HAT2168HWS-E
制造商:
Renesas瑞萨
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 30 V 30A(Ta) 15W(Tc) LFPAK
规格说明书:
HAT2168HWS-E说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Renesas(瑞萨)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.9 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1730 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 15W(Tc)
工作温度 150°C
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 LFPAK
封装/外壳 SC-100,SOT-669
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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