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TPH3208LSG
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- 制造商编号：
- TPH3208LSG
- 制造商：
- Transphorm
- 系列：
- -
- 描述：
- GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 20A（Tc） 96W（Tc） 3-PQFN（8x8）
- 规格说明书：
- TPH3208LSG说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Transphorm |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 130 毫欧 @ 14A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 300µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±18V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 760 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 3-PQFN（8x8） |
| 封装/外壳 | 3-PowerDFN |
| 标准包装 | 60 |
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- 标准包装
- 60 / PCS
- 包装
- 管件
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