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EPC2111

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制造商编号:
EPC2111
制造商:
EPC
系列:
-
描述:
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 30V 16A(Ta) - 表面贴装型 模具
规格说明书:
EPC2111说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 EPC
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss) 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 19 毫欧 @ 15A,5V,8 毫欧 @ 15A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 230pF @ 15V,590pF @ 15V
功率 - 最大值 -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 模具
供应商器件封装 模具
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥28.097549 ¥28.10
10+ ¥25.211423 ¥252.11
100+ ¥20.655289 ¥2065.53
500+ ¥17.583435 ¥8791.72
1000+ ¥14.829396 ¥14829.40
2500+ ¥14.444226 ¥36110.57

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