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NTLJD4116NT1G
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- 制造商编号：
- NTLJD4116NT1G
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 2.5A 710mW 表面贴装型 6-WDFN（2x2）
- 规格说明书：
- NTLJD4116NT1G说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 427pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 710mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SSM6N58NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥3.69000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥3.283494 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.733681 | ￥7.73 |
| 10+ | ￥6.808623 | ￥68.09 |
| 100+ | ￥5.222099 | ￥522.21 |
| 500+ | ￥4.127846 | ￥2063.92 |
| 1000+ | ￥3.302269 | ￥3302.27 |
| 3000+ | ￥3.283494 | ￥9850.48 |
