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IRFD123PBF

Vishay photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
IRFD123PBF
制造商:
Vishay威世
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
详细描述:
通孔 N 通道 100 V 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-HVMDIP
规格说明书:
IRFD123PBF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 270 毫欧 @ 780mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 16 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 360 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 4-HVMDIP
封装/外壳 4-DIP(0.300",7.62mm)
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
管件
单价:¥6.302291 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥13.850997 ¥13.85
10+ ¥12.395026 ¥123.95
100+ ¥9.663495 ¥966.35
500+ ¥7.982899 ¥3991.45
1000+ ¥6.302291 ¥6302.29

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