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IXTA160N10T

IXYS photo

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制造商编号:
IXTA160N10T
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
Trench
描述:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 160A(Tc) 430W(Tc) TO-263AA
规格说明书:
IXTA160N10T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 Trench
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 160A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 132 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 6600 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 430W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263AA
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 50

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
PSMN7R0-100BS,118 Nexperia USA Inc. ¥23.96000 类似
AUIRFS4310ZTRL Infineon Technologies ¥33.87000 类似

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标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥44.397046 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
50+ ¥44.397046 ¥2219.85

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