FDB050AN06A0
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- FDB050AN06A0
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- PowerTrench®
- 描述:
- MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 60 V 18A(Ta),80A(Tc) 245W(Tc) D²PAK(TO-263)
- 规格说明书:
- FDB050AN06A0说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | PowerTrench® |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A(Ta),80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5 毫欧 @ 80A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 80 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3900 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 245W(Tc) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D²PAK(TO-263) |
标准包装 | 800 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
PSMN004-60B,118 | Nexperia USA Inc. | ¥26.73000 | 类似 |
PHB21N06LT,118 | Nexperia USA Inc. | ¥8.52000 | 类似 |
IXFA230N075T2-7 | IXYS | ¥52.61000 | 类似 |
BUK9675-55A,118 | Nexperia USA Inc. | ¥9.98000 | 类似 |
IPB100N06S2L05ATMA2 | Infineon Technologies | ¥28.34000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥14.11991 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥26.160231 | ¥26.16 |
10+ | ¥23.518098 | ¥235.18 |
100+ | ¥18.904248 | ¥1890.42 |
800+ | ¥15.531904 | ¥12425.52 |
1600+ | ¥14.11991 | ¥22591.86 |