STD155N3LH6
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- 制造商编号:
- STD155N3LH6
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 80A(Tc) 110W(Tc) D-PAK(TO-252)
- 规格说明书:
- STD155N3LH6说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | DeepGATE™, STripFET™ VI |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3 毫欧 @ 40A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 80 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3800 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 110W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D-PAK(TO-252) |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPB80N03S4L03ATMA1 | Infineon Technologies | ¥14.21000 | 类似 |
PSMN3R4-30BLE,118 | Nexperia USA Inc. | ¥16.43000 | 类似 |
PSMN2R7-30BL,118 | Nexperia USA Inc. | ¥14.90000 | 类似 |
IRL7833STRLPBF | Infineon Technologies | ¥19.66000 | 类似 |
PSMN3R4-30BL,118 | Nexperia USA Inc. | ¥13.36000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥11.488084 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
2500+ | ¥11.488084 | ¥28720.21 |